文献链接：真正战Nickelocene-Precursor-FacilitatedFastGrowthofGraphene/h-BNVerticalHeterostructuresandItsApplicationsinOLEDs（Adv.Mater.,2017,DOI:10.1002/adma.201701325）9.NanoLett.：真正战在一氧化硅微粒上垂直生长石墨烯用作稳定的锂离子电池负极北京大学刘忠范院士与彭海琳教授（共同通讯）合作，提出了一种垂直石墨烯包裹的一氧化硅微粒（d-SiO@vG），它可以用作稳定的锂离子电池负极并拥有高比容量。

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文献链接：还离BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）3.Adv.Mater.综述：还离走向CVD石墨烯薄膜的规模制备Adv.Mater.在线刊登了北京大学彭海琳教授与刘忠范院士发表的题为TowardMassProductionofCVDGrapheneFilms的综述文章，集中阐述了基于CVD方法的石墨烯薄膜大规模生产的研究现状与未来发展方向。研究发现，真正战即使在高负载（1.5mg/cm2）情况下，获得的复合材料仍然有很好的稳定性（100圈，保持率93%），容量高达1600mAh/g。

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